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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：6.7 A
Rds漏源导通电阻：40毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：700 mV
Qg-萘甲酸：50 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：6.8 S
下降时间：65 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：32 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：100 ns
典型起始延迟时间：14 ns
零件号别名：IRF7404TRPBF SP001563596
单位重量：506.600毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•P通道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设
计相结合，为设计人员提供了一种非常有效的器件，可广泛
用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和
多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。
通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用
中使用多种设备。 该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。
在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -4.5V |
-7.7 |
A |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-6.7 |
|
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-5.4 |
|
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IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-27 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.5 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 12 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
-5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
询价
